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STGP18N40LZ價(jià)格

參考價(jià)格：￥4.4590

型號(hào)：STGP18N40LZ 品牌：STMicroelectronics 備注：這里有STGP18N40LZ多少錢，2025年最近7天走勢(shì)，今日出價(jià)，今日競(jìng)價(jià)，STGP18N40LZ批發(fā)/采購(gòu)報(bào)價(jià)，STGP18N40LZ行情走勢(shì)銷售排行榜，STGP18N40LZ報(bào)價(jià)。
型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
STGP18N40LZ

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

文件：896 Kbytes Page：19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

STGP18N40LZ

封裝/外殼：TO-220-3 包裝：管件 描述：IGBT 420V 30A 150W TO220 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

Description This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH technology optimized for coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. The device show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range.

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

400V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：145.54 Kbytes Page：3 Pages

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18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

STGP18N40LZ產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    STGP18N40LZ

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 400V INTRN CLMP IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-16 16:38:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
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TO-220-3
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只做原裝,質(zhì)量保證
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原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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