制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 40 A
Pd-功率耗散: 167 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: STGP20H60DF
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
1000
子類別: IGBTs
單位重量: 2.300 g