制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-220-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.6 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 30 A

Pd-功率耗散: 115 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: STGP15H60DF

封裝: Tube

商標(biāo): STMicroelectronics

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 15 A

柵極—射極漏泄電流: 250 nA

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors

1000

子類別: IGBTs

單位重量: 6 g