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GP18N40LZ

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半導體

Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

Description This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH technology optimized for coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. The device show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range.

STMICROELECTRONICS

意法半導體

400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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意法半導體

更新時間:2025-9-16 19:10:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
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