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STW28N60DM2

Extremely low gate charge and input capacitance

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STMICROELECTRONICS

意法半導體

STW28N60DM2

N溝道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封裝

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N-channel 600 V, 0.155 typ., 21 A MDmeshTM DM2 Power MOSFET in a PowerFLATTM 8x8 HV package

Features ? Fast-recovery body diode ? Extremely low gate charge and input capacitance ? Low on-resistance ? 100 avalanche tested ? Extremely high dv/dt ruggedness ? Zener-protected Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM2 fast recovery diode seri

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Extremely low gate charge and input capacitance

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意法半導體

N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 21 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Extremely low gate charge and input capacitance

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更新時間:2025-9-11 15:01:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導體)
2447
TO-247(AC)
315000
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
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ST/意法半導體
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原廠封裝
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ST/意法
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只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
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16960
原裝正品現(xiàn)貨支持實單
ST/意法半導體
23+
N/A
20000
ST
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
SST
原廠封裝
9800
原裝進口公司現(xiàn)貨假一賠百

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