制造商 STMicroelectronics/意法

數(shù)據(jù)列表 ST(B，F(xiàn)，P，W)28NM60ND

標(biāo)準(zhǔn)包裝 30

包裝 管件

零件狀態(tài) 不適用于新設(shè)計

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

系列 FDmesh? II

FET 類型 N 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 600V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 23A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 150 毫歐 @ 11.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 62.5nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 2090pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 190W（Tc）

工作溫度 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

封裝/外殼 TO-247-3

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