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STP28N60DM2

Extremely low gate charge and input capacitance

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STMICROELECTRONICS

意法半導體

STP28N60DM2

N溝道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封裝

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N-channel 600 V, 0.155 typ., 21 A MDmeshTM DM2 Power MOSFET in a PowerFLATTM 8x8 HV package

Features ? Fast-recovery body diode ? Extremely low gate charge and input capacitance ? Low on-resistance ? 100 avalanche tested ? Extremely high dv/dt ruggedness ? Zener-protected Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh? DM2 fast recovery diode seri

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Extremely low gate charge and input capacitance

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意法半導體

N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 21 A MDmesh??DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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更新時間：2025-9-11 18:25:00
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只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
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TO220-3
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ST
2023+
TO220-3
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原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供
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TO-220-3
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
SST
原廠封裝
9800
原裝進口公司現(xiàn)貨假一賠百
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