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IPW65R050CFD7A

MOSFET 650V CoolMOS? CFD7A SJ Power Device

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Infineon

英飛凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter

ISC

無錫固電

MOSFET 650V CoolMOS? CFD7A SJ Power Device

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Infineon

英飛凌

MOSFET 650V CoolMOS? CFD7A SJ Power Device

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英飛凌

更新時(shí)間：2025-9-10 20:00:00
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