制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 43.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 72 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 161 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 391 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: CoolMOS

系列: CoolMOS CFDA

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 6 ns

高度: 21.1 mm

長(zhǎng)度: 16.13 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 18 ns

240

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 85 ns

典型接通延遲時(shí)間: 20 ns

寬度: 5.21 mm

單位重量: 6 g