制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 68.5 A

Rds On-漏源導通電阻: 37 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 300 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 500 W

通道模式: Enhancement

商標名: CoolMOS

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 8 ns

高度: 21.1 mm

長度: 16.13 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 28 ns

系列: CoolMOS CFD2

240

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 127 ns

典型接通延遲時間: 34 ns

寬度: 5.21 mm

零件號別名: IPW65R41CFDXK SP000756288 IPW65R041CFDFKSA1

單位重量: 6 g