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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
STW20NM65N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

STW20NM65N

Low gate input resistance

文件：573.92 Kbytes Page：18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.19Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

N-channel 650 V, 0.250 廓, 15 A TO-220, TO-220FP second generation MDmesh??Power MOSFET

Features ■ 100 avalanche tested ■ Low input capacitance and gate charge ■ Low gate input resistance Application ■ Switching applications Description These devices are N-channel Power MOSFETs realized using the second generation MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET ass

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意法半導(dǎo)體

Low gate input resistance

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意法半導(dǎo)體

STW20NM65N產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    STW20NM65N

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-10 18:25:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
15+
TO-247
46
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
ST/意法半導(dǎo)體
24+
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6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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25+
原廠原封
16900
原裝，請咨詢
ST(意法)
23+
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20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
ST/意法半導(dǎo)體
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