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STB20NM60D價(jià)格

參考價(jià)格：￥25.6196

型號(hào)：STB20NM60D 品牌：STMicroelectronics 備注：這里有STB20NM60D多少錢，2025年最近7天走勢，今日出價(jià)，今日競價(jià)，STB20NM60D批發(fā)/采購報(bào)價(jià)，STB20NM60D行情走勢銷售排行榜，STB20NM60D報(bào)價(jià)。
型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
STB20NM60D

N-channel 600V - 0.26廓 - 20A - D2PAK FDmesh??Power MOSFET

Description The FDmesh? associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters. ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ 100 A

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

STB20NM60D

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：313.79 Kbytes Page：2 Pages

ISC

無錫固電

N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)

Description The FDmesh? associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters. ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ 100 Avalanch

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N-channel 600V - 0.25廓 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh??Power MOSFET

Features 1. High dv/dt and avalanche capabilities 2. 100 avalanche tested 3. Low input capacitance and gate charge 4. Low gate input resistance Applications 1. Switching applications Description The MDmesh? is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)

Description The FDmesh? associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters. ■ High dv/dt and avalanche capabilities ■ 100 Avalanch

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

20A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET

文件：240.75 Kbytes Page：6 Pages

UTC

友順

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件：1.15454 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

STB20NM60D產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    STB20NM60D

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-10 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
24+
NA/
40250
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
ST
16+15+
TO-263
36968
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-263-3
6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
ST
21+
TO-263
36968
十年信譽(yù),只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨!
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-263-3
10000
十年沉淀唯有原裝
ST(意法)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-263-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
ST/意法半導(dǎo)體
2023+
TO-263-3
6000
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗(yàn)、終端BOM表可配單提供
ST/意法半導(dǎo)體
25+
TO-263-3
4650
絕對(duì)原裝公司現(xiàn)貨
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-263-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證

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    2021-9-18

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