STB12NM50ND是STMicroelectronics推出的一款功率MOSFET產(chǎn)品，以下是該產(chǎn)品的主要功能和特性：

1. 高功率能力：STB12NM50ND具有較高的功率能力，適用于高功率應(yīng)用場景，如電源、馬達(dá)驅(qū)動和電機(jī)控制等。

2. 低導(dǎo)通電阻：該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻，可以降低功率損耗和熱量產(chǎn)生，提高系統(tǒng)效率和可靠性。

3. 高開關(guān)速度：STB12NM50ND具有快速的開關(guān)速度，可以實(shí)現(xiàn)高頻率的開關(guān)操作，適用于需要快速響應(yīng)的應(yīng)用。

4. 低輸入電容：該產(chǎn)品具有較低的輸入電容，可以降低輸入電流需求和開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的能效。

5. 高溫工作能力：STB12NM50ND支持高溫工作，具有較高的溫度耐受能力，適用于高溫環(huán)境下的應(yīng)用。

6. 低漏電流：該產(chǎn)品具有較低的漏電流，可以減少功耗和電池壽命的消耗。

7. 封裝和引腳配置：STB12NM50ND采用小型的TO-220封裝，具有簡單的引腳配置，方便與其他電路板進(jìn)行集成。

產(chǎn)品型號：STB12NM50ND

制造商

STMicroelectronics

制造商產(chǎn)品編號

STB12NM50ND

描述

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

類別

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管

FET，MOSFET

單 FET，MOSFET

制造商

STMicroelectronics

系列

FDmesh? II

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

產(chǎn)品狀態(tài)

停產(chǎn)

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

500 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

11A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

380 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）

30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）

850 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

100W（Tc）

工作溫度

150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

D2PAK（TO-263）

封裝/外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

基本產(chǎn)品編號

STB12N