TAJE156K050RNJ_TAJE156K050RNJ導(dǎo)讀

1）、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過(guò)壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。 MOSFET具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。。 2）、防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。

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TAJU477M010RNJ

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

TAJE156K050RNJ_TAJE156K050RNJ

TAJE106M050RNJ

當(dāng)G端為低電平的時(shí)候，D、S間無(wú)法導(dǎo)通，電機(jī)也就無(wú)法運(yùn)行。。N型MOS管應(yīng)用的場(chǎng)景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點(diǎn)如下 1、開(kāi)關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過(guò)的電流更大下面是N型MOS管的一個(gè)簡(jiǎn)單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時(shí)MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過(guò)，電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。

0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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