bychip可替代AP9575GM導(dǎo)讀
在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。
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VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進(jìn)入可變電阻區(qū)： 可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關(guān)系，所以可以看作是一個線性電阻，當(dāng)VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個由VGS控制的可變電阻。
此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。VGS(th)(開啟電壓) 當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。
。對于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)Vgs >Vgs(th)時，MOS就會開始導(dǎo)通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產(chǎn)生。
摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
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AO4828
這個值要盡可能的小，因?yàn)橐坏┳柚灯?，就會使得功耗變大?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導(dǎo)通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導(dǎo)通時的消耗功率。 MOS管 導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。
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在對稱的MOS管中，對source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。定義上，載流子流出source，流入drain。
最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
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