TAJE156M050RNJ_TAJE156M050RNJ導(dǎo)讀

不過，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)（電位）上拉電阻R，R的取值一般選用2～100KΩ。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。

TAJE156M050RNJ_TAJE156M050RNJ

TAJA155K016RNJ

060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個(gè)晶體管，襯底當(dāng)然接S極，因此自然在DS之間有二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，可以通過這個(gè)二極管導(dǎo)出來，不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護(hù)MOS管的作用)。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒有這個(gè)二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

TAJE156M050RNJ_TAJE156M050RNJ

TAJC156M016RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

1、P溝道m(xù)os管作為開關(guān)，柵源的閥值為-0.4V，當(dāng)柵源的電壓差為-0.4V就會(huì)使DS導(dǎo)通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導(dǎo)通，D為2.8V 如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw 那么mos管不導(dǎo)通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導(dǎo)通為系統(tǒng)供電，系統(tǒng)連接到D，利用G控制。

P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反說白了給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

TAJE156M050RNJ_TAJE156M050RNJ

總的來說，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。

相關(guān)資訊