NCE2006Y_NCE60P04AY導(dǎo)讀

內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內(nèi)阻，也就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，如熱阻）。

日前發(fā)布的電感器特別適合用于2 MHz以下DC/DC 轉(zhuǎn)換器能量存儲，以及電感器自諧振頻率（SRF）以下大電流濾波。該器件的應(yīng)用包括筆記本電腦、臺式電腦以及服務(wù)器；小型大電流電源；POL轉(zhuǎn)換器；電池供電設(shè)備；分布式電源系統(tǒng)和 FPGA。

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NCE0275T

可以說，在那段較黑暗的日子里Zandman學(xué)習(xí)掌握的知識為他開創(chuàng)Vishay奠定了基礎(chǔ)。Zandman于1928年生于波蘭，在二戰(zhàn)納粹大屠殺期間，Zandman外婆曾經(jīng)救助過的老管家收留了Zandman，他和其他四個人在管家家的地板下躲藏了17個月，才得以逃過了大屠殺。1956年，Zandman移居到美國，并在1962年創(chuàng)辦了Vishay。。在不見天日的17個月里，Zandman的叔叔教他代數(shù)、三角、幾何和物理。戰(zhàn)后，Zandman移民到法國，獲得機(jī)械工程、應(yīng)用機(jī)械和普通物理的學(xué)位，在巴黎的Sorbonne大學(xué)獲得機(jī)械物理的博士學(xué)位。

電感器符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。IHLP-7575GZ-51封裝采用100%無鉛（Pb）屏蔽復(fù)合結(jié)構(gòu)，蜂鳴噪聲降至超低水平，對熱沖擊、潮濕和機(jī)械振動具有很強(qiáng)的耐受能力，可無飽和處理高瞬變電流尖峰。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創(chuàng)立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發(fā)展成為紐約證券交易所上市的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”。該公司創(chuàng)始人Felix Zandman是一位科學(xué)家、發(fā)明家和企業(yè)家，擁有71項(xiàng)專利，寫過四本書和許多論文，曾獲得美國電子工業(yè)榮譽(yù)獎?wù)?，法國榮譽(yù)勛章等眾多獎項(xiàng)。

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NCEP020N30GU

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

。對于Vantam的模擬信號通道(包括低通濾波器[LPF]、負(fù)反饋電路[NFB]、前置放大器IC、IV轉(zhuǎn)換器及頭戴耳機(jī)放大電路)的微調(diào)，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式電阻。過去幾年中，由于專注于提供音頻性能差異化，該公司轉(zhuǎn)向薄膜技術(shù)。去年，當(dāng)VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF電阻(如圖1所示)能夠提供出色的聲音質(zhì)量后，開始指定使用Vishay產(chǎn)品。

一般特征 ● V DS = 30V，I D = 95A R DS（ON） <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS（ON） <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度電池設(shè)計(jì)，超低Rdson ● 全面表征雪崩電壓和電流 ● 良好的穩(wěn)定性和均勻性高? AS ● 出色的封裝，散熱效果好。

。在把Vishay元件整合進(jìn)新發(fā)布的SounDroid Vantam之前，VentureCraft對MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207薄膜MELF進(jìn)行了詳盡的測試以及個人聲音評價(jià)。這些測試和評價(jià)使用了網(wǎng)絡(luò)分析儀和人耳，它們?nèi)甲C實(shí)了聲音質(zhì)量的改善。

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MOS管NCE3401是一款-30V漏源電壓，4.2A電流，SOT-23封裝的P溝道MOS管。。

NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

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