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時(shí)間:2022-2-23 16:40:00

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TAJA156K004RNJ_TAJA156K004RNJ導(dǎo)讀

針對(duì)這種需求,新潔能生產(chǎn)出內(nèi)阻小,抗過電流能力好的N溝道溝槽工藝MOS管——NCE80H12,NCE80H12的導(dǎo)通電阻小于6mΩ,輸出電流可達(dá)120A,電機(jī)扭矩較好,。

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TLJP476M006R1800

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

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TAJC226K016RNJ

060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

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至t3時(shí)刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓,Millier效應(yīng)影響變小,Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時(shí)刻為止.此時(shí)C gs 電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達(dá)最小,MOSFET完全開啟。

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2025-9-6 23:00:00
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