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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NCE60P05BY

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60P05BY uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-5A RDS(ON)

NCEPOWER

新潔能

NCE60P05BY

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新潔能

Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The FQ60P05Q uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

GWSEMI

唯圣電子

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.84438 Mbytes Page：5 Pages

JIANGSU

長(zhǎng)電科技

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：460.68 Kbytes Page：4 Pages

FS

P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：669.71 Kbytes Page：4 Pages

MCC

更新時(shí)間：2025-9-18 15:08:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
NCE/新潔能
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原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道

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