NCE30H11G_NCEP40T17A導(dǎo)讀

臺積電是只有代工，沒有自己品牌IC產(chǎn)品的。三星和英特爾都有自己品牌的IC產(chǎn)品，但也為其它企業(yè)代工。世界上也有一些IC企業(yè)，在特定的行業(yè)里市場占有率高，而IC工廠的制程工藝并不高，成本也不高，這些企業(yè)是不用給別家代工的，自己生產(chǎn)自己設(shè)計的IC就夠。

而電動車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。我們所見的mos管，其實內(nèi)部由成千上萬個小mos管并聯(lián)而成，大家可能會想成千上萬個小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。

NCE30H11G_NCEP40T17A

NCE15TD135LT

NCEB301G NCE3065G NCE30H14K NCE3095K NCE3065Q 。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

NCE75TD120WT NCE50TD120BP NCE50TH120BP NCE50TD120BT NCE50TD120VT 。

NCE30H11G_NCEP40T17A

NCEP40P80K

MOS管3306產(chǎn)品主要參數(shù)漏源極電壓：60V 柵源電壓：±25V 連續(xù)漏電流：80A/60A 脈沖漏電流：300A 雪崩電流：21.5A 雪崩能量：462.25MJ。

一般特征 ● V DS = 30V，I D = 95A R DS（ON） <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS（ON） <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度電池設(shè)計，超低Rdson ● 全面表征雪崩電壓和電流 ● 良好的穩(wěn)定性和均勻性高? AS ● 出色的封裝，散熱效果好。

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

NCE2012 NCE20H10G NCE20H11 NCE3406N NCE2014ES 。

NCE30H11G_NCEP40T17A

電芯相當于鋰電池的心臟，而鋰電池保護板主要由保護芯片（或管理芯片）、MOS管、電阻、電容和PCB板等構(gòu)成。

而在鋰電池保護板中重要的就是保護芯片和MOS管。

相關(guān)資訊