AD8314ARMZ-REEL 其他被動元件_GCM31CR70J226ME23D導讀

。隨著制程工藝的成熟與進步，以及市場需求的增加，越來越多的公司采用20nm以下的先進工藝設計、生產(chǎn)IC和器件，這使得越來越多的IDM和代工廠淘汰生產(chǎn)效率低下的晶圓廠。

其中，關閉了42座150mm晶圓廠和24座200mm晶圓廠，而關閉的300mm晶圓廠數(shù)量僅占關閉總數(shù)的10%。具體如下圖所示。據(jù)IC Insights統(tǒng)計，在過去的10年中(2009-2018年)，全11球半導體制造商總共關閉或重建了97座晶圓廠。。

AD8314ARMZ-REEL 其他被動元件_GCM31CR70J226ME23D

74HC00D，653 邏輯IC

TI負責連接微控制器的副總裁Ray Upton解釋說，新技術對于“以穩(wěn)定的方式移動大量數(shù)據(jù)”至關重要，從而改善了高性能通信。 。

為了深入了解TI 這次在BAW技術上的新突破，我們要從BAW濾波器的原理說起：。在業(yè)內(nèi)，TI首次將這項技術用于集成時鐘功能。?過去，BAW諧振器技術常被用于過濾諸如智能電話之類的通信技術中的信號。

TPS62823DLCR TPS62823DLCT TPS62821DLCT TPS62821DLCR BQ40Z50RSMR-R2 。

TPS22919DCKR CSD23381F4 CSD23280F3 LM76002RNPR LM76002RNPT 。

AD8314ARMZ-REEL 其他被動元件_GCM31CR70J226ME23D

SN74CB3T3257PWR 其他被動元件

TPS560430XFDBVR XTR117AIDGKR CSD15380F3T MSP-EXP432P401R TPS2051BDBVR 。

。為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩，震蕩結構和外部環(huán)境之間必須有足夠的隔離才能得到小loss和大Q值。而震蕩結構的另一面，壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大，所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s，也就是說固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍，所以99.995%的聲波能量會在固體和空氣邊界處反射回來，跟原來的波(incident wave)一起形成駐波。

TPS60403DBVR CSD17313Q2 TPS259571DSGR TPS259571DSGT TLV3202AQDGKRQ1 。

DRV8876NPWPR DRV8872DDARQ1 DRV5013ADQDBZT DRV5013ADQDBZR TPD4E001DRLR 。

AD8314ARMZ-REEL 其他被動元件_GCM31CR70J226ME23D

也有不同結構，聲波以橫波(transverse)形式傳播。之前提到的BAW- SMR和FBAR?filter圖中，聲波都以縱波(longitudinal)形式傳播，即粒子震動方向和波的傳播方向是平行的。

Membrane type類似于BAW resonator的基本模型，兩面都是空氣，由于空氣的聲波阻抗遠低于壓電層的聲波阻抗，大部分聲波都會反射回來。

相關資訊