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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NCE01P13I

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01P13I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-13A RDS(ON)

NCEPOWER

新潔能

NCE01P13I

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新潔能

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新潔能

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新潔能

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯電子

更新時間:2025-9-16 19:43:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NCE/新潔能
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TO-252
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絕對原裝正品現(xiàn)貨假一賠十
NCE/新潔能
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
NCE
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TO-252
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
NCE
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TO-252
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
NCE/新潔能
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TO-252
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NA
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10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品,做服務(wù)型企業(yè)
NCE
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原裝正品價格優(yōu)惠,志同道合共謀發(fā)展
NCE新潔能
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原廠原裝,價格優(yōu)勢
NCE/新潔能
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TO-251
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百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
NCE/新潔能
22+
TO-252
6353
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!

NCE01P13I數(shù)據(jù)表相關(guān)新聞

  • NCE01P13K

    屬性 參數(shù)值 商品目錄 場效應(yīng)管(MOSFET) 漏源電壓(Vdss) 100V 連續(xù)漏極電流(Id) 13A 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) 200mΩ 10V,16A 功率(Pd) 40W 閾值電壓(Vgs(th)@Id) 3V 250μA

    2021-10-16
  • NCE01P18D

    NCE01P18D

    2021-8-11
  • NCE01P18

    NCE01P18

    2021-8-11
  • NCE01H29T

    NCE01H29T

    2021-8-2
  • NCE01H21TC

    NCE01H21TC

    2021-8-2
  • NCE01H14D

    NCE01H14D

    2021-8-2