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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NAND01GW3B2CN6E

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2CN6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:711.53 Kbytes Page:62 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

NAND01GW3B2CN6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件:1.34162 Mbytes Page:60 Pages

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2CN6E

封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 包裝:管件 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP 集成電路(IC) 存儲器

ETC

知名廠家

NAND01GW3B2CN6E

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Micron

美光

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:631.49 Kbytes Page:64 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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NUMONYX

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NAND01GW3B2CN6E產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GW3B2CN6E

  • 功能描述

    IC FLASH 1GBIT 48TSOP

  • RoHS

  • 類別

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列

    -

  • 產(chǎn)品變化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存儲器

    RAM

  • 存儲器類型

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存儲容量

    18M(1M x 18)

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并聯(lián)

  • 電源電壓

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作溫度

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝

    165-CABGA(13x15)

  • 包裝

    托盤

  • 其它名稱

    71P71804S200BQ

更新時間:2025-9-11 18:25:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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