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NAND01GW3B2CN6E中文資料
NAND01GW3B2CN6E數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書PDF詳情
Features
■ NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/ data
– Pinout compatibility for all densities
■ Supply voltage: 1.8 V/3 V
■ Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
■ Block size
– x8 device: (128K + 4K spare) bytes
– x16 device: (64K + 2K spare) words
■ Page read/program
– Random access: 25 μs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program time: 200 μs (typ)
■ Copy back program mode
■ Cache read mode
■ Fast block erase: 2 ms (typ)
■ Status register
■ Electronic signature
■ Chip enable ‘don’t care’
■ Security features
– OTP area
– Serial number (unique ID)
– Non-volatile protection option
■ Data protection
– Hardware block locking
– Hardware program/erase locked during
power transitions
■ ONFI 1.0 support
– Cache read
– Read signature
– Read
■ Data integrity
– 100,000 program/erase cycles per block
(with ECC)
– 10 years data retention
■ RoHS compliant packages
■ Development tools
– Error correction code models
– Bad blocks management and wear leveling
algorithms
– Hardware simulation models
NAND01GW3B2CN6E產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
NAND01GW3B2CN6E
- 功能描述
IC FLASH 1GBIT 48TSOP
- RoHS
是
- 類別
集成電路(IC) >> 存儲器
- 系列
-
- 產(chǎn)品變化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
- 標準包裝
136
- 系列
- 格式 -
- 存儲器
RAM
- 存儲器類型
SRAM - 同步,DDR II
- 存儲容量
18M(1M x 18)
- 速度
200MHz
- 接口
并聯(lián)
- 電源電壓
1.7 V ~ 1.9 V
- 工作溫度
0°C ~ 70°C
- 封裝/外殼
165-TBGA
- 供應商設(shè)備封裝
165-CABGA(13x15)
- 包裝
托盤
- 其它名稱
71P71804S200BQ
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NUMONYX |
21+ |
TSOP48 |
5760 |
全新原裝鄙視假貨 |
|||
NUMONYX |
17+ |
TSOP |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
|||
Numonyx |
2021+ |
TSOP |
6800 |
原廠原裝,歡迎咨詢 |
|||
NUMONYX |
2025+ |
TSOP |
3795 |
全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣 |
|||
Numonyx |
TSOP |
800 |
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談 |
||||
NUMONYX |
24+ |
65200 |
|||||
Numonyx |
23+ |
NA |
3680 |
專業(yè)電子元器件供應鏈正邁科技特價代理QQ1304306553 |
|||
NUMONYX |
1113 |
TSOP48 |
6000 |
絕對原裝自己現(xiàn)貨 |
|||
NUMONYX |
23+ |
TSOP |
3000 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
|||
NUMONYX |
23+ |
TSOP48 |
30631 |
原廠原裝正品 |
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NAND01GW3B2CN6E 芯片相關(guān)型號
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- 62S22-N0-040PH
- 62S22-N0-040S
- 62S22-N0-040SH
- ES1EF
- FR1GAFC
- FR203G
- GRM43DR72E474KW01
- GRM43DR72E474KW01L
- MAX1705
- NAND01GW3B2CN5E
- NAND01GW3B2CN5F
- NAND01GW3B2CN6F
- R1111N501H-TR-FE
- R1111N501L-TR-FE
- R1160N081L-TR-FE
- R1160N331H-TR-FE
- SMAJ54
- SMAJ64
- SMBJ85
- SMBJ90
- UF4002G
- UF4004G
- UF5406G
Datasheet數(shù)據(jù)表PDF頁碼索引
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- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
numonyx
Numonyx是一家曾經(jīng)存在的存儲技術(shù)公司,于2008年由英特爾(Intel)和STMicroelectronics共同創(chuàng)立。Numonyx專注于非易失性存儲器(NVM)技術(shù)和閃存存儲器技術(shù),為客戶提供各種存儲解決方案和產(chǎn)品。 Numonyx的產(chǎn)品包括閃存存儲器、嵌入式存儲器、非易失性存儲器等,在計算機、消費電子、通信、汽車等領(lǐng)域得到廣泛應用。公司致力于技術(shù)創(chuàng)新與研發(fā),不斷提升產(chǎn)品性能、可靠性和創(chuàng)新性,以滿足客戶不斷增長的需求。 2010年,美國存儲技術(shù)公司Micron Technology收購了Numonyx,并將其整合為Micron的一部分。這一收購使Micron得以拓展其存儲技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)