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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NAND01GR3B2CZA6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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NUMONYX

numonyx

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

封裝/外殼：63-TFBGA 包裝：管件 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 集成電路（IC） 存儲器

ETC

知名廠家

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Micron

美光

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意法半導(dǎo)體

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NUMONYX

numonyx

NAND01GR3B2CZA6產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GR3B2CZA6

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

更新時間：2025-9-17 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
24+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
micron(鎂光)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
22048
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
STM
2016+
VFBGA63
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只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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24+
QFN
80000
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
ST/意法
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VFBGA63
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百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價
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NUMONYX
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BGA
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
MICRON
24+
VFBGA63
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原裝，正品
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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