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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NAND01GR3B2CZA6F

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

NAND01GR3B2CZA6F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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NUMONYX

numonyx

NAND01GR3B2CZA6F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

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意法半導(dǎo)體

NAND01GR3B2CZA6F產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GR3B2CZA6F

  • 制造商

    NUMONYX

  • 制造商全稱

    Numonyx B.V

  • 功能描述

    1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

更新時間：2025-9-17 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
24+
NA/
3270
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
micron(鎂光)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
22048
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
ST
24+
QFN
80000
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
ST
24+
QFN
20000
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅！！
STM
1146+
TSSOP48
129
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
ST/意法
23+
BGA
3000
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
ST/意法
25+
QFN
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
ST
25+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
18000
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝
ST
23+
BGA
30000
原裝現(xiàn)貨,假一賠十.
ST
25+23+
QFN
29870
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

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