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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
MJE18004D2G

封裝/外殼：TO-220-3 包裝：托盤 描述：TRANS NPN 450V 5A TO220 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

POWER TRANSISTORS

The MJE18004D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features:

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安森美半導(dǎo)體

POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 1000 VOLTS 75 WATTS

The MJE18004D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features

Motorola

摩托羅拉

MJE18004D2G產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    MJE18004D2G

  • 功能描述

    兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    PowerFLAT 2 x 2

更新時間：2025-9-19 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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