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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
MJE18004D2

POWER TRANSISTORS

The MJE18004D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features:

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MJE18004D2

POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 1000 VOLTS 75 WATTS

The MJE18004D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features

Motorola

摩托羅拉

MJE18004D2

封裝/外殼：TO-220-3 包裝：托盤(pán) 描述：TRANS NPN 450V 5A TO220 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MJE18004D2

POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 1000 VOLTS 75 WATTS

ETC

知名廠家

封裝/外殼：TO-220-3 包裝：托盤(pán) 描述：TRANS NPN 450V 5A TO220 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

MJE18004D2產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    MJE18004D2

  • 功能描述

    兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    PowerFLAT 2 x 2

更新時(shí)間：2025-9-19 20:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
24+
NA/
733
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
ON/安森美
18+
TO220
19444
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開(kāi)增值稅發(fā)票
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原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開(kāi)票!
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21+
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7500
只做原裝所有貨源可以追溯原廠
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2025+
TO220
3685
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售
ON
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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TO220
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現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
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22+
SOT-263
3000
原裝正品,支持實(shí)單
ON/安森美
23+
TO220
12500
全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十
ON/安森美
23+
TO220
6000
專業(yè)配單保證原裝正品假一罰十

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