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IXFH12N120價格

參考價格：￥46.4241

型號：IXFH12N120P 品牌：Ixys 備注：這里有IXFH12N120多少錢，2025年最近7天走勢，今日出價，今日競價，IXFH12N120批發(fā)/采購報價，IXFH12N120行情走勢銷售排行榜，IXFH12N120報價。
型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
IXFH12N120

High Voltage HiPerFET Power MOSFET

Features ? International standard package JEDEC TO-247 AD ? Low RDS (on) HDMOSTM process ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Fast switching times Applications ? Switch-mode and resonant-mode power supplies ? Motor controls ? Uninterruptible Power Supplies (UPS) ? DC choppers Advan

IXYS

艾賽斯

IXFH12N120

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

無錫固電

IXFH12N120

N-Channel: Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET?)

Littelfuse

力特

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.35Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

無錫固電

Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar? Power MOSFET HiPerFET? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features ? International standard packages ? Fast recovery diode ? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ? Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages ? Easy to mou

IXYS

艾賽斯

N通道HiPerFET

Littelfuse

力特

Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar? Power MOSFET HiPerFET? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features ? International standard packages ? Fast recovery diode ? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ? Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages ? Easy to mou

IXYS

艾賽斯

IXFH12N120產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXFH12N120

  • 功能描述

    MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-11 23:01:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
3285
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
IXYS
24+
TO-247
8848
原廠可訂貨,技術支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
IXYS/艾賽斯
2450+
NA
9850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
IXYS/艾賽斯
96+
TO-247
52
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
IXYS/艾賽斯
24+
TO-247
12000
原裝進口支持檢測
IXYS/艾賽斯
21+
NA
150
只做原裝,假一罰十
IXYS
原廠封裝
9800
原裝進口公司現(xiàn)貨假一賠百
IXYS
24+
TO-247
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售

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