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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IRG4BC20MD-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：298.37 Kbytes Page：12 Pages

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features ? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). ? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 ? Industry standard TO-220AB package Benefits ? Genera

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features ? Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). ? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 ? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery

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INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE

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Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

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IRF

IRG4BC20MD-SPBF產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IRG4BC20MD-SPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-8-25 10:19:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
20+
SOP
2960
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨
IR
22+
SOP
8000
原裝正品支持實(shí)單
IR
21+
TO-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
IR
22+
D2PAK
6000
十年配單,只做原裝
IR
16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
IR
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
IR
23+
TO-263
6150
原廠原裝正品
IR
24+
NA/
6900
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十

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