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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
G080N06K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

G080N06K

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.68923 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

文件：421.18 Kbytes Page：10 Pages

Infineon

英飛凌

OptiMOS? Power-Transistor

文件：446.46 Kbytes Page：10 Pages

Infineon

英飛凌

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

文件：421.18 Kbytes Page：10 Pages

Infineon

英飛凌

更新時(shí)間：2025-9-16 18:24:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
G
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。

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