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080N06N

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.68923 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半導體

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導體

OptiMOS? Power-Transistor

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Infineon

英飛凌

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

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Infineon

英飛凌

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

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Infineon

英飛凌

更新時間：2025-9-16 20:00:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INF
24+
NA/
3350
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
INF
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
INF
0636+
TO-220
100
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
VBSEMI/臺灣微碧
22+
SOP8
20000
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
INF進口原
17+
TO-220
6200
INFINEON/英飛凌
23+
SOP-8
3000
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
INFINEON
23+
SOP8
5000
原裝正品,假一罰十
I
23+
TO-263S
6000
原裝正品，支持實單
INF
23+
TO-220
7000
VBSEMI/臺灣微碧
2447
SOP8
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨

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