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1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features ? Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology ? Negligible reverse recovery current ? Maximum operating junction temperature of 175°C ? Improved switching losses vs. Si bipolar diodes ? Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

AOSMD

萬國半導(dǎo)體

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更新時(shí)間:2025-8-16 16:01:01
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