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VND7N04-E價(jià)格

參考價(jià)格：￥5.6919

型號(hào)：VND7N04-E 品牌：ST Microelectronics 備注：這里有VND7N04-E多少錢(qián)，2025年最近7天走勢(shì)，今日出價(jià)，今日競(jìng)價(jià)，VND7N04-E批發(fā)/采購(gòu)報(bào)價(jià)，VND7N04-E行情走勢(shì)銷(xiāo)售排行榜，VND7N04-E報(bào)價(jià)。
型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
VND7N04-E

Fully autoprotected power MOSFET

Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

VND7N04-E

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 包裝：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK 集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

Fully autoprotected power MOSFET

Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

??MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND7N04, VND7N04-1 and VNK7N04FM are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

OMNIFETFully autoprotected power MOSFET

文件：511.85 Kbytes Page：17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ? RDS(ON), VGS@10V, ID@5A

PANJIT

強(qiáng)茂

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ? RDS(ON), VGS@10V, ID@5A

PANJIT

強(qiáng)茂

VND7N04-E產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    VND7N04-E

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-12 8:03:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
25
TO-252-3
6000
原裝正品
ST/意法
22+
TO252DPAK
20198
ST(意法)
24+
NA/
8735
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
ST/意法
25+
DPAK
65248
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
ST(意法)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷(xiāo)經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
STM
2450+
TO-252
9850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
STM
14+
TO-252
2800
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-252-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
ST/意法
24+
TO-252
504314
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
意法半導(dǎo)體
22+
NA
500000
萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂(yōu)

VND7N04-E芯片相關(guān)品牌

VND7N04-E規(guī)格書(shū)下載地址

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