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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

??MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件：388.88 Kbytes Page：29 Pages

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意法半導(dǎo)體

??MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower? M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp

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意法半導(dǎo)體

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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意法半導(dǎo)體

更新時間：2025-9-19 20:00:01
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