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VF40120C

Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier

Features · Trench Mos Schottky Barrier · Guardring for overvoltage Protection · Low Forward Voltage Drop · Low Reverse Leakage Current · High Surge Current Capability · Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O

DAESAN

VF40120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF40120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ? Trench MOS Schottky technology ? Low forward voltage drop, low power losses ? High efficiency operation ? Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 ? Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 包裝：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列

ETC

知名廠家

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 包裝：散裝 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 100V ITO220AB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列

ETC

知名廠家

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120 W, RF Power GaN HEMT

Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an

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120 W, RF Power GaN HEMT

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WOLFSPEED

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Cree

科銳

120 W, RF Power GaN HEMT

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Cree

科銳

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Cree

科銳

VF40120C產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    VF40120C

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全稱

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

更新時(shí)間：2025-9-3 12:09:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
VISHAY原裝
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