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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
UT4810DG-S08-T

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION As trench FET Power MOSFETS, N-channel MOSFET with schottky diode, the UTC UT4810D shows fast switching and low gate charge features. And it can be used in such applications: DC-DC logic level, low voltage and battery powered. FEATURES * RDS(ON)

UTC

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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION As trench FET Power MOSFETS, N-channel MOSFET with schottky diode, the UTC UT4810D shows fast switching and low gate charge features. And it can be used in such applications: DC-DC logic level, low voltage and battery powered. FEATURES * RDS(ON)

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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

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UTC

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UT4810DG-S08-T產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    UT4810DG-S08-T

  • 制造商

    UTC-IC

  • 制造商全稱

    UTC-IC

  • 功能描述

    N-CHANNEL 30-V(D-S) MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

更新時(shí)間:2025-9-10 18:30:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
UTC
2024+
SOP-8
500000
誠信服務(wù),絕對原裝原盤
UTC
20+
SOP-8
3022
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
UTC/友順
23+
SOP-8
50000
只做原裝正品
UTC/友順
新年份
SOP-8
33288
原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單帶TP來談!
UTC/友順
2447
SOP8
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
UTC/友順
20+
SOP-8
43000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
UTC/友順
SOP-8
22+
6000
十年配單,只做原裝
NK/南科功率
2025+
SOP-8
986966
國產(chǎn)
UTC/友順
24+
SOP-8
60000
UTC/友順
24+
NA/
6295
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票

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    2023-1-31
  • UT621024PCL-70LL,utron原裝現(xiàn)貨,最低價(jià)

    德信電子(香港)有限公司 客服經(jīng)理:林先生 聯(lián)系電話:0755-33359577

    2019-7-25
  • UT54LVDS031-UCC-緩沖器/驅(qū)動(dòng)器...

    簡介 該UT54LVDS031四Driver是一款四路CMOS差分線路驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的要求超低功耗和高數(shù)據(jù)速率。該裝置目的是支持在155.5 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率超過(77.7兆赫)利用低電壓差分信號傳輸(LVDS)技術(shù)。該UT54LVDS031接受TTL輸入電平與翻譯他們低電壓(340mV)差分輸出信號。在此外,驅(qū)動(dòng)程序支持的三態(tài)功能,可使用禁用的輸出級,禁用負(fù)載電流,從而去掉了設(shè)備閑置的超低電源狀態(tài)。和同伴的UT54LVDS031四線接收器UT54LVDS032高功率提供新的替代品高速點(diǎn)至點(diǎn)接口偽ECL器件申請。 特征 >155.

    2013-2-22
  • UT54LVDS031-UPC-緩沖器/驅(qū)動(dòng)器

    特征 >155.5 Mbps的(77.7兆赫)交換速率 +340 mV的差分信號名義問5 V電源 TTL兼容輸入 超低功耗CMOS技術(shù) 最大5.0ns,傳輸延遲 3.0ns最高,差分偏移 輻射加固設(shè)計(jì),總劑量輻射測試符合MIL - STD-883方法1019 - 總劑量:300 krad(Si)和1Mrad(四) -閉鎖免疫(LET的>111 MeV-cm2/mg) 包裝選擇: - 16引腳扁平封裝(雙行) 標(biāo)準(zhǔn)微電路圖紙5962-

    2013-2-22