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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

HiPerFET Power MOSFETs

Single MOSFET Die Features ? International standard packages ? Low RDS (on) HDMOSTM process ? Rugged polysilicon gate cell structure ? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ? Low package inductance - easy to drive and to protect ? Fast intrinsic rectifier Applications ? DC-DC con

IXYS

艾賽斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

無錫固電

Polar Power MOSFET HiPerFET

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrisic Diode Features ? International Standard Packages ? Fast Intrinsic Diode ? Avalanche Rated ? Low Package Inductance Advantages ? Easy to Mount ? Space Savings ? High Power Density Applications ? Switched-Mode and Resonant-Mode Powe

IXYS

艾賽斯

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

文件:187.72 Kbytes Page:6 Pages

IXYS

艾賽斯

UPD120N25TA-A產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    UPD120N25TA-A

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新時間:2025-8-23 23:01:02
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
17138
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
IXYS
20+
TO-264
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
IXYS/艾賽斯
24+
TO-264
39197
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
24+
8866
IXYS
23+
TO-3PL
7000
IXYS
23+
TO-3PL
8000
只做原裝現(xiàn)貨
IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
IXYS
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
IXYS
23+
TO-264
12800
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)

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  • UPD168002-整體式6通道H橋式驅(qū)動器...

    描述 μPD168002的是單片6通道H橋驅(qū)動的CMOS控制電路和一個MOS輸出由階段。它可以減少電流消耗,并在輸出級的電壓損失與常規(guī)驅(qū)動程序使用雙極晶體管,MOS工藝的一個工作表示感謝。在μPD168002采用P溝道MOS管場效應(yīng)管輸出級,并消除了電荷泵電路。因此,電路中的電流消耗操作可以大大減少。該封裝是48引腳TQFP,有助于減少安裝面積和高度。在μPD168002可以用來驅(qū)動一個步進馬達和四個直流電動機,是為電機驅(qū)動器,適合 CD-ROM/CD音頻。 特征 •六H橋電路采用功率MOS場效應(yīng)管 ̶

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  • UPD168116A-7通道支撐帶微步脈沖輸入函數(shù)H橋式驅(qū)動器

    描述 該μPD168116A是一個7通道H -橋用微小階躍函數(shù)配套脈沖輸入認為A由司機CMOS控制電路和一MOS輸出階段。它能降低電流消耗和在電壓虧損輸出級則為常規(guī)驅(qū)動程序使用雙極晶體管,多虧一個MOS工藝就業(yè)。該μPD168116A可以驅(qū)動通過輸入脈沖一步進電機,使信號行數(shù)必要 控制電機可以下降。 包是一個56引腳WQFN,有助于降低安裝面積和高度。 該μPD168116A可以用來驅(qū)動兩個步進馬達或兩個DC馬達和一線圈。 特征 •七個H橋電路用人功率MOSFET •低電壓駕駛 VDD的= 2.7

    2013-2-5