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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
UPC1679G-E1

5 V-BIAS, 5.5 dBm OUTPUT, 1.8 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The μPC1679G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +13 dBm TYP. output at 1 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L Band wireless communication systems. This IC i

NEC

瑞薩

更新時(shí)間：2025-9-17 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
NA/
5151
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
NEC
22+
SOP-8
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
NEC
00+
SOP8
1901
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
NEC
23+
SOP-8
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
NEC
2223+
SOP-8
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)
NEC
23+
SOP-8P
12335
NEC
24+
SMD
12000
原裝正品 有掛就有貨
NEC
1998
SOP-8P
219
原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢(xún)
NEC
25+
SMD
3378
絕對(duì)原裝公司現(xiàn)貨供應(yīng)!價(jià)格優(yōu)勢(shì)
NEC
25+
SOP8
4950
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可

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  • UPC324G2-E2-A

    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6

  • UPB1509GV RENESAS/瑞薩

    www.hfxcom.com

    2021-12-9

  • UP9616Q

    UP9616Q,當(dāng)天發(fā)貨0755-82732291全新原裝現(xiàn)貨或門(mén)市自取.

    2020-8-7

  • UPC1093-可調(diào)節(jié)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器

    描述 該mPC1093可調(diào)精密并聯(lián)穩(wěn)壓器的熱穩(wěn)定性保證。輸出電壓可 設(shè)置之間的任何參考電壓（2.495 V）和36 V值由兩個(gè)外部電阻器。 這些IC可應(yīng)用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的誤差放大器。 特征 •高精度 •低溫度系數(shù) •通過(guò)兩個(gè)外部電阻調(diào)節(jié)輸出電壓 •低動(dòng)態(tài)阻抗 訂購(gòu)信息 型號(hào) 封裝 mPC1093J 3針?biāo)芰细呒?jí)督察（至- 92） mPC

    2013-3-13

  • UPC317-3終端正可調(diào)穩(wěn)壓器

    描述 mPC317是正電壓可調(diào)三端穩(wěn)壓器，其中有1.5一個(gè)輸出電流能力。可以由兩個(gè)外部電阻設(shè)置輸出電壓1.3 V和30 V之間的任何值。 特點(diǎn) •超過(guò)1.5 A的輸出電流 •芯片上的一些保護(hù)電路（過(guò)電流保護(hù)，SOA保護(hù)和熱關(guān)機(jī)）。

    2013-1-9

  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅單片集成電路，第一頻率下轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)用于蜂窩/無(wú)繩電話(huà)接收階段。該IC組成的混頻器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集電極開(kāi)路輸出。 mPC2757TB和mPC2758TB類(lèi)似的IC可提供低阻抗射極跟隨輸出。這些結(jié)核病后綴及晶片，體積更小比傳統(tǒng)T后綴集成電路的封裝有助于減少您的系統(tǒng)的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅雙極工藝制造。此過(guò)程使用氮化硅鈍化膜和金電極。這些材料可以從外部污染芯片表面保護(hù)防止腐蝕/遷移。因此，該IC具有優(yōu)良的性能，均勻性和可靠性。 應(yīng)用

    2012-12-14

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