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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
TSG60N100CE

N-Channel IGBT with FRD

General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design andadvanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.This device is well suited for the resonant or soft switching applicati

TSC

臺灣半導體

N-Channel IGBT with FRD

General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design andadvanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.This device is well suited for the resonant or soft switching applicati

TSC

臺灣半導體

NPT-Trench IGBT

文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：2.36038 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：282.84 Kbytes Page：4 Pages

DACO

罡境電子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：246.92 Kbytes Page：4 Pages

DACO

罡境電子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：238.65 Kbytes Page：4 Pages

DACO

罡境電子

TSG60N100CE產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    TSG60N100CE

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 1000V 60A IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-13 12:18:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
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SOP
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SOP-16P
19526
N/A
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DIP
9850
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
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25+
SOP
16900
原裝，請咨詢
TSG
23+
SOP-8
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
原裝正品
1430+
原裝正品
5800
全新原裝,公司大量現(xiàn)貨供應,絕對正品
ST
24+
SOP
16900
支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!
ST
24+
SOP
100

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