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TPNCE01P30K

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES ? Vds=-100V ID=30A @ ROSON=40mO@Ves=-10V

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臺(tái)舟電子

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01P30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01P30I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯電子

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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雷卯電子

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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更新時(shí)間：2025-8-13 14:14:00
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三極管/MOS管/晶體管 > 場效應(yīng)管(MOSFET)
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