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TMOS4 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

TMOS IV Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode DPAK for Surface Mount or Insertion Mount

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FEATURES ·Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

無錫固電

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更新時(shí)間：2025-8-17 11:33:01
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談
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