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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
TN0106N3

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Features ■ Low threshold — 2.0V max. ■ High input impedance ■ Low input capacitance — 50pF typical ■ Fast switching speeds ■ Low on resistance ■ Free from secondary breakdown ■ Low input and output leakage ■ Complementary N- and P-channel devices

SUTEX

TN0106N3

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs

[TOPAZ SEMICONDUCTOR] N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

文件：640.15 Kbytes Page：5 Pages

SUTEX

N-Channel Enhancement-Mode

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan

SUTEX

TN0106N3產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    TN0106N3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 3Ohm

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-21 12:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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