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60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

UMW

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

EVVOSEMI

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

FastSwitching

文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET

文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司

CHONGQING
更新時間：2025-7-22 20:25:01
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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