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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
TJ11A10M3

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m? (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -100 V) (3) Enhancement mode: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA) Applications ? Switching Voltage Regulators

TOSHIBA

東芝

TJ11A10M3

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

東芝

TJ11A10M3

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =130mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

TJ11A10M3

Power MOSFET (P-ch single)

TOSHIBA

東芝

TJ11A10M3產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    TJ11A10M3

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全稱

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    MOSFETs Silicon P-Channel MOS(U-MOS??±)

更新時(shí)間：2025-9-18 13:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
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TO-263
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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常備大量現(xiàn)貨,原裝正品
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