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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
TF082N10NG

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF082N10NG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) withlowgate charge. It can be used in a wide variety ofapplications. ● Features Advance device constructure Low RDS(ON) to minimize conduction loss Low Gate Charge for fast switchi

TUOFENG

拓鋒半導(dǎo)體

100V N-Channel MOSFET

Features ? N-channel, normal level ? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance RDS(on) ? 175 °C operating temperature ? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ? VDS=100V ? ID(at VGS=10V)=80A ? RDS(ON) (at VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

OptiMOS?? Power-Transistor

文件：441.9 Kbytes Page：10 Pages

Infineon

英飛凌

更新時(shí)間：2025-9-15 17:40:00
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