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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Fast Recovery Body Diode ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM100N06 series MOSFETs is a new technology, which combines an innovative super junction t

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愛德微

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno

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愛德微

OptiMOSTM Power-Transistor

文件：697.5 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飛凌

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件：3.73479 Mbytes Page：7 Pages

FOSTER

福斯特半導(dǎo)體

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：433.03 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMI

華之美半導(dǎo)體

更新時(shí)間：2025-8-10 23:01:01
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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    進(jìn)口代理

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