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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

3-to-8linedecoder/demultiplexer;inverting

GENERALDESCRIPTION The74HC/HCT138arehigh-speedSi-gateCMOSdevicesandarepincompatiblewithlowpowerSchottkyTTL(LSTTL).TheyarespecifiedincompliancewithJEDECstandardno.7A. FEATURES ?Demultiplexingcapability ?Multipleinputenableforeasyexpansion ?Idealformemory

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

3-to-8linedecoder/demultiplexer;inverting

1.Generaldescription The74HC138;74HCT138decodesthreebinaryweightedaddressinputs(A0,A1andA2)to eightmutuallyexclusiveoutputs(Y0toY7).Thedevicefeaturesthreeenableinputs(E1,E2and E3).EveryoutputwillbeHIGHunlessE1andE2areLOWandE3isHIGH.Thismultipleena

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

NEXPERIA

3-to-8linedecoder/demultiplexerinverting

ETC

知名廠家

3TO8LINEDECODERDEMULTIPLEXER

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DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DIODES

3-to-8linedecoder/demultiplexer;inverting

ETC

知名廠家

更新時間:2025-7-4 23:00:01
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  • TC77-3.3MCTTR主營微芯原裝現(xiàn)貨

    TC77-3.3MCTTR主營微芯原裝現(xiàn)貨

    2024-6-3
  • TC670ECHTR

    www.jskj-ic.com

    2021-9-7
  • TC72-5.0MUA

    TC72-5.0MUA,全新原裝現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨或門市自取0755-82732291.

    2020-2-18
  • TC58NVM9S3ETA00

    FLASH-NAND/64MX8NANDSLC/TSOP-48/25NS/0°~70°C/RoHS/2.7v-3.6v/TRAY/EOL/480PCS

    2019-12-14
  • TC7660H-高頻7660的DC-DC電壓轉(zhuǎn)換器...

    TC7660H是引腳兼容的,高頻率的升級行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TC7660電荷泵電壓轉(zhuǎn)換器。它轉(zhuǎn)換為+1.5V至+10V輸入到相應(yīng)的-1.5V至-10V的輸出,使用只有兩個低成本電容,無需電感器和其相關(guān)的成本,尺寸和EMI。TC7660H(而不是在120kHz頻率10kHz時的TC7660),允許使用的1.0mF外部電容。振蕩頻率可減少(更低的電源電流的應(yīng)用)通過連接從OSC接地的外部電容。TC7660H是8腳DIP和小外形在商業(yè)和擴展溫度(SOIC)封裝范圍。TC7660H包含所有必要的電路,實施高壓變頻器,兩個例外外部電容,這可能是廉價的1.0mF無極電容器。行動是最好的理解考慮圖2顯示了一

    2012-12-18
  • TC7660-電荷泵式DC-DC電壓轉(zhuǎn)換器

    TC7660是一個引腳兼容的替代品行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TC7660電荷泵電壓轉(zhuǎn)換器。它轉(zhuǎn)換為+1.5V至+10V輸入相應(yīng)的-1.5V-10V輸出,僅使用兩個低成本電容器,消除電感器和其相關(guān)的成本,尺寸和EMI。板上振蕩器工作在標(biāo)稱頻率為10kHz。低于10kHz的操作(更低的電源當(dāng)前的應(yīng)用程序)是連接外部從OSC電容接地(針1開放)。TC7660是在兩個8腳DIP和8-pin在商業(yè)和擴展溫度的SOIC封裝范圍。TC7660包含所有必要的電路,實施高壓變頻器,兩個例外外部電容器,這可能是廉價的10MF極化電解電容器。行動是最好的理解考慮圖2顯示了一個理想化的電壓逆變器。電容C1充電電壓,V

    2012-12-18