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更新時間:2025-7-18 22:59:01
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  • ATS2
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    2022-6-28
  • TC160G16AF-0015,TC160G41AF-1415,TC160G70AF

    TC160G16AF-0015,TC160G41AF-1415,TC160G70AF

    2020-4-12
  • TC203G74ES

    TC203G74ES

    2019-11-11
  • TC1410-0.5A的高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器

    概述0.5V時的TC1410/1410N是緩沖區(qū)的CMOS/驅(qū)動器。他們不會在任何情況下鎖定了其權(quán)力范圍內(nèi)和電壓等級。他們不是受損害時,高達(dá)任何極性扣球發(fā)生在5V的噪聲接地引腳。他們可以接受,而不會損壞或邏輯不安,高達(dá)500mA的電流極性任被迫返回到他們的輸出。所有終端得到充分保護(hù),以防止注冊4kV的靜電放電。由于MOSFET驅(qū)動器,可以很容易的TC1410/1410N開關(guān)25nsec與匹配的上升500pF陶瓷電容的柵極電容和下降時間,并提供足夠的阻抗都低ON和OFF的狀態(tài),以確保MOSFET的預(yù)期狀態(tài)不會受到影響,甚至大的瞬態(tài)。上升和下降時間的邊緣匹配,讓駕駛更準(zhǔn)確的

    2013-2-25
  • TC1426-1.2A的雙路高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器

    特征低的成本閉鎖保護(hù):可承受500毫安的反輸出電流ESD保護(hù)..................±2千伏高峰值輸出電流.................1.2A的峰值高容性負(fù)載驅(qū)動能力.................為1000pF在38nsec寬工作電壓范圍.................4.5V至16V的低延時.................75nsec最大獨(dú)立的邏輯輸入閾值電源電壓輸出電壓擺幅25mV的范圍內(nèi)的接地或VDD低輸出阻抗..

    2013-2-24
  • TC170-CMOS電流模式PWM控制器

    TC170帶來的低功耗CMOS技術(shù)電流模式開關(guān)電源控制器市場。最大供電電流為3.8毫安。雙極電流模式控制集成電路要求的5倍以上的操作系統(tǒng)電流。圖騰柱的雙CMOS輸出驅(qū)動電源MOSFET或雙極晶體管。50nsec的典型輸出上升和下降時間(1000pF的容性負(fù)載)最小化MOSFET功耗。輸出峰值電流為300mA。TC170包含一個全面的系統(tǒng)保護(hù)陣列電路(見功能)。電流模式控制,允許用戶并行電源模塊??梢詮膶儆趦蓚€或兩個以上TC170控制器并行操作。電路可以工作在掌握TC170內(nèi)部振蕩器或外部系統(tǒng)振蕩器。TC170經(jīng)營從8V至16V電源。5.1V參考內(nèi)部的2%,大大減少了外部組件計(jì)數(shù)。TC170

    2012-11-25