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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:1.37293 Mbytes Page:4 Pages

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

文件:973.56 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

文件:270.42 Kbytes Page:1 Pages

FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富滿微富滿微電子集團(tuán)股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

文件:175.98 Kbytes Page:7 Pages

3M

3M Electronics

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更新時(shí)間:2025-7-22 17:30:01
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